MgZnO紫外LED的电致发光特性开题报告

1. 本选题研究的目的及意义

紫外发光二极管（uvled）作为一种新型的固态光源，凭借其体积小、效率高、寿命长、环保节能等诸多优势，在杀菌消毒、生物医疗、光催化、信息存储等领域展现出巨大的应用潜力，正逐步取代传统的气体放电灯和汞灯。

近年来，随着人们对uvled应用领域的不断拓展，对器件性能也提出了更高的要求，例如更高的光输出功率、更短的发光波长以及更低的成本等。

mgzno作为一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度可调、化学稳定性好、激子束缚能高等优点，被认为是制备高性能uvled的理想材料之一。

2. 本选题国内外研究状况综述

近年来，mgzno基紫外led的研究取得了显著进展，但仍然面临着一些挑战。

1. 国内研究现状

国内在mgzno紫外led研究方面取得了一定的进展。

3. 本选题研究的主要内容及写作提纲

1. 主要内容

1.研究mgzno薄膜的mocvd生长工艺，通过优化生长温度、气压、流量等参数，获得高质量的mgzno薄膜材料，并对其结构、形貌和光学性质进行表征和分析。

2.设计和制备mgzno基紫外led器件结构，并优化器件的制备工艺，包括清洗、光刻、刻蚀、蒸镀等步骤，以提高器件的性能。

4. 研究的方法与步骤

本课题研究将采用实验研究与理论分析相结合的方法，具体步骤如下：
1.文献调研：查阅国内外相关文献，了解mgzno紫外led的研究现状、发展趋势以及存在的问题，为课题研究提供理论基础和方向指导。

2.材料制备：采用金属有机化学气相沉积（mocvd）方法生长mgzno薄膜材料，并通过x射线衍射（xrd）、扫描电子显微镜（sem）、原子力显微镜（afm）等手段对材料的结构、形貌和成分进行表征和分析。

3.器件制备：利用光刻、刻蚀、蒸镀等微纳加工工艺制备mgzno基紫外led器件，并对器件的结构和形貌进行表征。

5. 研究的创新点

本课题的研究创新点在于：
1.通过对mocvd生长工艺的优化，制备高晶体质量、低缺陷浓度的mgzno薄膜，为高性能器件的制备奠定基础。

2.设计新型mgzno紫外led器件结构，优化载流子注入和光提取效率，以提高器件的发光性能。

3.系统研究mgzno紫外led的电致发光特性及其影响因素，深入理解mgzno材料的发光机制，为器件性能优化提供理论指导。

6. 计划与进度安排

第一阶段 （2024.12~2024.1）确认选题，了解毕业论文的相关步骤。

第二阶段（2024.1~2024.2）查询阅读相关文献，列出提纲

第三阶段（2024.2~2024.3）查询资料，学习相关论文

7. 参考文献（20个中文5个英文）

[1] 郝跃, 刘斌, 郑婉华, 等. 紫外发光二极管研究进展[j]. 功能材料与器件学报, 2018, 24(1): 1-15.

[2] 叶志镇, 陈敦军, 顾书林, 等. 紫外光电探测材料与器件研究进展[j]. 发光学报, 2019, 40(2): 145-163.

[3] 王占国, 王晓辉, 王青海. 紫外光通信技术研究进展[j]. 激光与红外, 2018, 48(2): 145-152.