摘要
g-C3N4作为一种可见光响应的非金属半导体光催化材料,在环境污染治理和能源转换领域展现出巨大潜力。
然而,体相g-C3N4比表面积小、光生载流子复合率高,限制了其光催化活性。
构建多孔结构是提高g-C3N4光催化性能的有效策略之一。
本文综述了近年来多孔g-C3N4的制备方法及其在光催化领域的应用研究进展,包括模板法、化学刻蚀法、自组装法等,并对不同制备方法的优缺点进行了比较。
此外,还介绍了多孔g-C3N4光催化性能的影响因素,如孔径大小、比表面积、形貌等。
最后,展望了多孔g-C3N4光催化材料未来发展方向和面临的挑战。
关键词:多孔g-C3N4;光催化;制备方法;性能;应用
随着工业化进程的加快,环境污染和能源危机问题日益严峻,寻求高效、环保、可持续的解决方案迫在眉睫。
半导体光催化技术利用太阳能驱动光催化剂降解污染物、产氢产氧等,被认为是解决上述问题的有效途径之一[1-2]。
光催化材料是光催化技术的核心。
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