ZnO纳米晶的暴露晶面调控及其光催化稳定性研究文献综述

氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能、低廉的成本和良好的生物相容性，在光催化领域引起了广泛的关注。

ZnO纳米晶体暴露的晶面会显著影响其光催化性能，包括光吸收、载流子分离和表面反应活性。

因此，可控合成具有特定暴露晶面的ZnO纳米晶体，并研究其晶面依赖的光催化性能和稳定性机制，对于提高ZnO的光催化效率和应用至关重要。

本文首先综述了ZnO纳米晶体不同暴露晶面的结构和性质，以及晶面调控对光催化性能的影响。

然后，详细介绍了近年来ZnO纳米晶体暴露晶面调控的主要研究方法，包括形貌控制剂辅助合成、晶种生长法、模板法等。

此外，还重点讨论了ZnO纳米晶体光催化稳定性的影响因素和提升策略。

最后，对ZnO纳米晶体暴露晶面调控及其光催化稳定性研究进行了总结和展望。

关键词：ZnO纳米晶；暴露晶面；光催化；稳定性；晶面调控

近年来，随着工业和城市化的快速发展，水污染和空气污染等环境问题日益严峻，对生态环境和人类健康造成严重威胁。

半导体光催化技术作为一种绿色环保的污染物降解技术，为解决环境污染问题提供了一种可行的途径。