可见-近红外波段ITO透明导电玻璃的介电函数性质文献综述

氧化铟锡(ITO)作为一种重要的透明导电氧化物，在光电子器件领域展现出广泛的应用前景。

其优异的光电性能与可见-近红外波段的介电函数性质密切相关。

本文首先介绍了ITO和介电函数的基本概念，接着综述了ITO薄膜的制备方法、结构表征、光学性能和介电函数研究现状，并对不同制备条件下ITO薄膜的介电函数特性及其影响因素进行了分析，最后总结了ITO介电函数性质研究面临的挑战和未来发展方向。

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透明导电氧化物(TransparentConductiveOxide,TCO)是一类同时具有高透光率和高导电性的功能材料，在太阳能电池、平板显示器、触摸屏、电致变色器件等领域发挥着至关重要的作用[1-3]。

在众多TCO材料中，氧化铟锡(IndiumTinOxide,ITO)以其优异的光电性能、成熟的制备工艺和较低的制造成本，成为目前应用最为广泛的TCO材料之一[4]。

ITO薄膜的光电性能与其化学组成、晶体结构、微观形貌以及缺陷浓度等因素密切相关，而这些因素又受到制备方法、工艺参数、退火处理等条件的影响[5]。

介电函数作为描述材料光学性质的基本物理量，能够反映材料内部电子结构和光与物质相互作用的信息[6]。

因此，研究ITO薄膜在可见-近红外波段的介电函数性质，对于深入理解ITO材料的光学特性、优化其光电性能、拓展其应用领域具有重要的理论意义和实际价值。

自20世纪50年代ITO薄膜首次被成功制备以来[18]，其优异的性能就受到了广泛关注。