基于磁控溅射的玻璃衬底上SiC纳米薄膜的制备研究文献综述

碳化硅(SiC)是一种兼具化合物和共价键特性的重要半导体材料，具备宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度和优异的化学惰性等优异性能，在微电子、光电子、高温、高频、高功率器件等领域具有广泛的应用前景。

近年来，随着薄膜制备技术的进步，SiC纳米薄膜的制备及其性能研究受到了广泛关注。

本综述重点介绍了SiC纳米薄膜的制备方法，特别是磁控溅射技术。

讨论了磁控溅射法制备SiC薄膜的原理、工艺参数、优缺点及其在玻璃衬底上的应用。

此外，还综述了不同工艺参数对SiC薄膜结构、光学和电学性能的影响，以及该领域面临的挑战和未来发展方向。

关键词：碳化硅；纳米薄膜；磁控溅射；玻璃衬底；性能

碳化硅（SiC）是一种重要的宽禁带半导体材料，具有许多优异的性能，如高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和漂移速度和优异的化学惰性等[1-3]。

这些特性使得SiC成为制备高温、高频、高功率电子器件和光电子器件的理想材料，并在微电子、光电子、航空航天、核能等领域展现出巨大的应用潜力[4-6]。

SiC薄膜作为SiC材料的重要应用形式之一，近年来受到了广泛的关注。

SiC薄膜可以在各种衬底上生长，例如硅、蓝宝石、碳化硅等，并可以通过控制生长条件来调控其结构和性能[7-9]。